• 高压高速系列

    高压高速系列

    该系列产品使用BCD工艺,芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.8V~60V)以及良好的反向电压保护能力以及过流保护能力,200KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿,使得芯片能工作在-40~150℃环境之中,并保持良好的性能以及一致性。已通过AEC-Q 100认证。
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  • 低压高速系列

    低压高速系列

    该系列产品使用BCD工艺,芯片内集成了霍尔感应元件。2.8V~24V工作电压,配有反向电压保护能力以及过流保护能力,400KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿,使得芯片能工作在-40~150℃环境之中,并保持良好的性能以及一致性。
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  • 低压低功耗系列

    低压低功耗系列

    该系列产品使用BCD工艺,芯片内集成了霍尔感应元件。3V~30V工作电压,以及良好的反向电压保护能力以及过流保护能力,并且具有优良的温度补偿,使得芯片能工作在-40~150℃环境之中,并保持良好的性能以及一致性。
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  • 微功耗系列

    微功耗系列

    该系列产品使用CMOS工艺,芯片内集成了霍尔感应元件。1.7~5.5V工作电压,以及1uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿,使得芯片能工作在-40~125℃环境之中,并保持良好的性能以及一致性。
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  • 磁阻开关系列

    磁阻开关系列

    根据平行穿过磁场的强弱和角度不同,阻抗值发生变化的AMR桥阻与ASIC集成与单芯片中。通过与磁铁配合,非接触式进行位置检测。相比于霍尔传感器有高精度(回差可以小于3高斯),对磁场平行感应,和不同方向的AMR桥阻配合实现360度两维感应的特点。 主要应用于不同感应角度与低功耗高频感应的应用场合,现有两个产品线,一维感应开关与二维感应开关。
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